Гетероструктуры на основе оксидных пленок для применения в 3D энергонезависимой памяти с наноразмерным масштабом компонентов

Проблемa современной микроэлектроники - увеличение степени интеграции микросхем. Решить эту проблему можно путем перехода от 2D к 3D интеграции, что невозможно в рамках стандартной высокотемпературной кремниевой технологии. Создание 3D микросхем требует применения низкотемпературных способов осаждения материалов и разработки принципиально новых эффективных электронных компонентов на основе этих материалов.
В ПетрГУ разработана научная база и созданы рабочие образцы новых электронных компонентов (ячейки памяти, диоды и транзисторы), получаемые на базе оксидных материалов с использованием низких процессных температур. Показано, что эти компоненты не уступают по эффективности (быстродействие, время жизни, согласование импедансов с существующей электроникой), например, компонентам, используемым при изготовлении накопителей информации изготовленным по flesh технологии, однако, в отличие от последней, за счет низких процессных температур, допускают 3D интеграцию.

Правовая защита

• Патент РФ на изобретение №2392694  «Способ получения фотогальванического элемента» от 20.06.2010.
• Патент РФ на изобретение №2468471  «Способ получения энергонезависимого элемента памяти» от 27.11.2012.
• Патент РФ на изобретение №2470409  «Способ получения диода на основе оксида ниобия» от 20.12.2012.