Транзисторно-диодные элементы на основе многофазных оксидных материалов с переходом металл-изолятор

Назначение, область применения

Применение разработанных элементов в биполярных и полевых транзисторах диодных элементах, реализующих эффект «переход металл-изолятор» для электроники.

Электронная компонентная база для новых электронных устройств информационных технологий и телекоммуникаций.

Твердотельные накопители информации большой емкости, аналог flash накопители; диодные и транзисторные структуры, аналог диодные и транзисторные структуры на основе аморфного и поликристаллического кремния.

Описание проекта

  - структура электронного инжекционного транзистора с обратным затвором. Управление каналом происходит за счет мягкого пробоя тонкого слоя диэлектрика и лавинной инжекции носителей заряда в канал;

- структура электронного инжекционного транзистора с p – n переходом. Управление каналом происходит за счет инжекции носителей заряда в канал через p – n переход, что существенно снижает напряжения включения устройства;

 - гетероструктура p-Si-VO2-Me и ее ВАХ. Измерение выполнено на синусоидальном сигнале частотой 100 Гц с ограничительным сопротивлением в цепи – 10 кОм. На ВАХ наблюдается эффект выпрямления, обусловленный образование p-n перехода на границе p-Si – n-VO2.

Схема коммерциализации

• Трансферт технологии, продажа лицензии.
• Для электронных устройств малой интеграции, использующих разрабатываемые электронные компоненты, после поиска маркетинговых «ниш», создание собственного производства.

Правовая защита

• Патент РФ на изобретение №2392694  «Способ получения фотогальванического элемента» от 20.06.2010.
• Патент РФ на изобретение №2468471  «Способ получения энергонезависимого элемента памяти» от 27.11.2012.
• Патент РФ на изобретение №2470409  «Способ получения диода на основе оксида ниобия» от 20.12.2012.
• Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2012618514  «Программа для получения и обработки данных электрофизических измерений «VA researcher 1.1»» от 19.09.2012.